掩膜板制造设备的较新进展

谈到掩膜板.首先要谈到掩膜版制造设务一一图形发生器(PatternGenerator)。 目前，金属掩膜板制造设备供应a主要有三家:Micronic. Jeot和NuFlare.制作工艺分为激光和电了束两种图形描绘方式，但两种方式各有利弊。采用激光来描绘图形的优势是速度快、效丰高，但精度不如电了束扫描方式:而采川电一r束描绘图形，虽然精度高，们描绘速度慢、生产效率低。由于两种方式的互补性，光刻掩膜板制造商会分别A买两种设备.当制备线宽要求很高的电路图形时使用电子束扫描.对于线宽要求不是很高的电路图形则使)日激光扫描.两种设备的交杆使用既满足了精度要求.也大大提高了速度，同时也大大降低了制造商的投资成本。随着技术的发展.这种状况正在改变。三家掩膜板制造设备供应商都对各自的弱点有了技术上的改进。生产激光川形发生器的Micronic于2005年推出了Sigma7500.它与传统的激光图形发生器有所不同据Micronic的合作伙伴—台湾Hermes-Epitek公司光罩设备部门经Pi.林文盛介绍.Sigma7500采III Micronic的SLM(Spatial Light Modulator)技术.含有百万个镜片的SLM会将深紫外光(DUV)准分了激光反射到掩膜版来产生光掩膜，可用于制备90. 65. 45nm技术节点量产H)光掩膜版。 Sigma7500在二ii;对称性(Anisotropic- bias).较小线宽偏ri (CD-biasing)、峭变校正(Distortion Correction)和方角锐化(CornerEnhancement)-’I方M.t” f形进行处39!. i(d这些处理是通过对像素的在线数v调v来实现的，不影响ICI形描绘速度。Sigma7500埔加的自检A能(Self-Metrology)改井了系统的精度，在较小线宽和定位精度上提高了25%.广城线宽均匀性(Global CD Uniformity)和局域线宽均匀性(Local CDUniformity)有很大改善。并开发了在掩膜板制造过程中刘系统CD议差的校正功能。

相关建材词条解释：

掩膜

MASK(掩膜)：单片机掩膜是指程序数据已经做成光刻版，在单片机生产的过程中把程序做进去。优点是：程序可靠、成本低。缺点：批量要求大，每次修改程序就需要重新做光刻板，不同程序不能同时生产，供货周期长。在半导体制造中，许多芯片工艺步骤采用光刻技术，用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜（也称作“掩模”），其作用是：在硅片上选定的区域中对一个不透明的图形模板遮盖，继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区域。

线宽

4微米/1微米/0.6微米/0.35微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度(注:应为最小沟道长度,IC工艺的核心是MOS尺寸,所以最小导线宽度的说法不准确),是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元.在光学中指光源的线宽，比如激光线宽。光从激光器中射出，激光起振后,会有一个或多个纵模产生,每个纵模的频率的范围就是激光的线宽。注意每个纵模的频率宽度和纵模之间的间隔是两个不同的概念,纵模间隔是相邻两个纵模中心频率的差值。激光线宽由谐振腔的品质因数决定,腔的品质因数越高,激光线宽就越窄。考虑激光介质的增益后,激光的线宽的理论极限由增益介质的自发辐射来决定,例如对于He-Ne,其线宽的理论极限约为10^-3Hz量级。当然实际的激光器中还有各种线宽展宽机制,使的激光线宽一般达不到其理论极限,例如对于He-Ne,温度变化0.01度引起的模式频率漂移约0.1MHz,实际He-Ne的激光线宽可达到1MHz,固体激光器中线宽可达1埃左右。